CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD（Chemical Vapor Deposition）和MOCVD（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）是兩種常用的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，用于制備薄膜、涂層和納米材料等。

CVD是一種通過在反應(yīng)室內(nèi)將反應(yīng)物質(zhì)以氣體形式傳輸并在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而在襯底上形成所需材料的方法。該過程涉及到化學(xué)反應(yīng)、氣體輸運和表面擴散等多個步驟。在CVD過程中，通過控制反應(yīng)氣體的組成、流速、溫度和壓力等參數(shù)，可以實現(xiàn)對所生長材料的成分、結(jié)構(gòu)和性能的精確控制。

而MOCVD是一種特殊的CVD技術(shù)，主要用于生長復(fù)雜化合物薄膜，如半導(dǎo)體材料、光電材料等。MOCVD利用金屬有機前驅(qū)物（通常是金屬有機化合物）和載氣（如氫氣、氮氣）在高溫條件下反應(yīng)，使金屬有機前驅(qū)物分解并釋放金屬原子，然后這些金屬原子與載氣中的其他氣體反應(yīng)，最終在襯底表面形成所需薄膜。

CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器由超純水機制取二級水，并儲存至水箱備用。氫氣發(fā)生器缺水時，自動供給至氫氣發(fā)生器。多臺氫氣發(fā)生器可串聯(lián)使用，通過串聯(lián)控制線由一臺發(fā)生器控制其他發(fā)生器，實現(xiàn)產(chǎn)氣均勻分配。（以兩臺設(shè)備為例控制圖如下）

CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要特點：

1、儀器的全部工作過程均由程序控制，自動恒壓、恒流，通過串聯(lián)控制線，可實現(xiàn)多組并聯(lián)使用。 

2、使用固態(tài)電解質(zhì)（PEM）法產(chǎn)生氫氣，以超純凈水原料，以固體聚合物為電解質(zhì)，貴金屬做電極有效的除濕裝置，降低了原始濕度，純度穩(wěn)定。 

3、操作方便使用時只需打開電源開關(guān)即可產(chǎn)氫，使用后無需泄壓，直接關(guān)閉電源即可。可連續(xù)使用，也可間斷使用，產(chǎn)氫量穩(wěn)定不衰減。 

4、安全可靠：配有安全裝置，電解超純水制氫，無腐蝕、無污染，配有壓力控制，缺水自動監(jiān)控，漏氣自動檢測。 

5、配備純水系統(tǒng)，完成自來水進水完成大流量的氫氣制備。

CVD，MOCVD專用氫氣發(fā)生器主要參數(shù)：