CVD，MOCVD專用氫氣發生器使用方法

　　半導體制造技術作為信息時代制造的基礎，堪比工業時代的機床，是整個社會發展的基石和原動力。在產業分工格局重塑的關鍵時期，我國也提出了《中國制造2025》，以通過智能制造實現由制造大國向制造強國的轉換。智能制造(工業4.0)的實現，以各種信息器件的使用為基礎，半導體制造技術正是其制造的核心技術。

 

　　而氫氣作為半導體制造中的氣源，在半導體材料及器件制備中起到至關重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應用。

 

　　目前半導體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長、干法刻蝕等工藝。

 

　　退火是通過高溫加熱釋放材料內部應力從而改善材料質量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長后釋放應力。

 

　　氫氣也可以應用在化學氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長。化學氣相沉積是一種利用固態-氣態反應、氣態-氣態反應生成薄膜的設備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。

 

　　氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應氣體出現，等離子體刻蝕原理是利用反應氣體離化后與材料發生反應生成揮發性物質，從而實現材料圖形化，是半導體器件制備的工藝。

 

　　CVD,MOCVD專用氫氣發生器目前已大量應用在以上工藝中，為半導體材料及器件制備提供好的氣源。

 

　　CVD,MOCVD專用氫氣發生器技術參數：

 

　　1、氫氣純度：99.9999-99.99999%（外接提純儀）

 

　　2、氫氣流量：50L/min

 

　　3、輸出壓力：0-1.2MPa

 

　　4、壓力穩定性：<0.001MPa

 

　　5、供電電源：220V±10%50HZ

 

　　6、消耗功率：20KW

 

　　7、純水需求：＞2MΩ&3L/h

 

　　8、氫氣容積：＜20L

 

　　9、環境溫度：1-40℃

 

　　10、相對濕度：<85%

 

　　11、海拔高度：＜2000米

 

　　12、外形尺寸：220x100x200（WxDxHcm）

 

　　13、凈重：約600kg(50L)