半導(dǎo)體制造技術(shù)作為信息時(shí)代制造的基礎(chǔ)，堪比工業(yè)時(shí)代的機(jī)床，是整個(gè)社會(huì)發(fā)展的基石和原動(dòng)力。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關(guān)鍵時(shí)期，我國(guó)也提出了《中國(guó)制造2025》，以通過(guò)智能制造實(shí)現(xiàn)由制造大國(guó)向制造強(qiáng)國(guó)的轉(zhuǎn)換。智能制造(工業(yè)4.0)的實(shí)現(xiàn)，以各種信息器件的使用為基礎(chǔ)，半導(dǎo)體制造技術(shù)正是其制造的核心技術(shù)。

 

　　而氫氣作為半導(dǎo)體制造中的氣源，在半導(dǎo)體材料及器件制備中起到至關(guān)重要的作用。可在光電器件、傳感器、IC制造中應(yīng)用。

 

　　目前半導(dǎo)體工藝中氫氣主要用于退火、外延生長(zhǎng)、干法刻蝕等工藝。

 

　　退火是通過(guò)高溫加熱釋放材料內(nèi)部應(yīng)力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法，氫氣作為保護(hù)氣可以起到防止氧化等作用，多用于薄膜生長(zhǎng)后釋放應(yīng)力。

 

　　氫氣也可以應(yīng)用在化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDepositon)薄膜生長(zhǎng)。化學(xué)氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)、氣態(tài)-氣態(tài)反應(yīng)生成薄膜的設(shè)備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2、WS2等；等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅、碳化硅等；電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(ECR-CVD)中作為反應(yīng)氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)設(shè)備中作為載氣制備光電材料GaN、AlGaN等。同時(shí)氫氣也可以在原子層沉積(AtomicLayerDeposition)中使用。

 

　　氫氣在等離子體刻蝕(RIE/ICP)中作為反應(yīng)氣體出現(xiàn)，等離子體刻蝕原理是利用反應(yīng)氣體離化后與材料發(fā)生反應(yīng)生成揮發(fā)性物質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)材料圖形化，是半導(dǎo)體器件制備的工藝。

 

　　CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器目前已大量應(yīng)用在以上工藝中，為半導(dǎo)體材料及器件制備提供好的氣源。

 

　　CVD,MOCVD專用氫氣發(fā)生器技術(shù)參數(shù)：

 

　　1、氫氣純度：99.9999-99.99999%（外接提純儀）

 

　　2、氫氣流量：50L/min

 

　　3、輸出壓力：0-1.2MPa

 

　　4、壓力穩(wěn)定性：<0.001MPa

 

　　5、供電電源：220V±10%50HZ

 

　　6、消耗功率：20KW

 

　　7、純水需求：＞2MΩ&3L/h

 

　　8、氫氣容積：＜20L

 

　　9、環(huán)境溫度：1-40℃

 

　　10、相對(duì)濕度：<85%

 

　　11、海拔高度：＜2000米

 

　　12、外形尺寸：220x100x200（WxDxHcm）

 

　　13、凈重：約600kg(50L)